5 وظائف هندسية مطلوبة للعمل بمعامل وأقسام معهد بحوث الإلكترونيات

ينشر "اليوم السابع" لقرائه الوظائف والتخصصات والشروط والمستندات المطلوبة للتقدم للوظائف الهندسية للعمل بالمعامل المركزية والأقسام البحثية بمعهد بحوث الإلكترونيات وذلك وفقا لما هو منشور على البوابة الإلكترونية لمحافظة بنى سويف.
باحث مساعد (مدرس مساعد)
أن يكون حاصل على الدرجة العلمية الحاصل عليها من إحدى الجامعات المصرية التابعة للمجلس الأعلى للجامعات وقانون تنظيم الجامعات رقم 49/72
أن يكون لديه أبحاث علمية منشورة بإحدى الدوريات العلمية خلال الثلاث سنوات الماضية
المؤهل: حاصل على بكالوريوس هندسة – وحاصل على الماجستير فى الهندسة من إحدى كليات الهندسة الخاضعة لقانون تنظيم الجامعات رقم 49/72 من أقسام الإلكترونيات والاتصالات وهندسة الحاسبات والهندسة الكهربية.
باحث مساعد (مدرس مساعد) للعمل بالمعامل المركزية..
يجب أن يكون موضوع رسالة الماجستير فى تطبيقات النانو تكنولوجى فى أحد مجالات هندسة الإلكترونيات أو الطاقة الكهربية، مثل الإلكترونيات الدقيقة، المستشعرات الإلكترونية، الخلايا الضوئية، طرق تخزين الطاقة الكهربية، إلكترونيات الترددات العالية، الإلكترونيات الضوئية.
يفضل أن تكون رسالة الماجستير تحتوى على تجارب عملية فى مجال تصنيع وقياسات النانو تكنولوجى
يفضل من له خبرة سابقة (موثقة بخطاب توصية من جهة بحثية معتمدة فى عملية إعداد وقياسات المواد النانومترية بصفة عامة خلاف ما تحتوى رسالة الماجستير من تفاصيل دقيقة فى النقاط البحثية التالية: -
( VD,EPCVD,PVD,Spin coating, Electronic microscope Lithography technique...etc )
يفضل من يكون له مقالات منشورة فى إحدى المجلات العالمية ذات مستوى تأثير جيد فى العامين الماضيين من تاريخ التقدم للوظيفة.
المؤهل: حاصل على ماجستير من إحدى كليات الهندسة الخاضعة لقانون تنظيم الجامعات رقم 49/72
باحث مساعد (مدرس مساعد) للعمل بالمعامل المركزية..
يجب أن يكون موضوع رسالة الماجستير فى مجال تقنيات الحوسبة السحابية أو تقنيات الحاسبات فائقة الأداء فقط
أن يكون رسالة الماجستير تحتوى على تنفيذ عملى فى مجال تقنيات الحوسبة السحابية أو تقنيات الحاسبات فائقة الأداء
يكون له على الأقل عدد اثنين مقالات منشورة فى إحدى المجلات العالمية ذات مستوى تأثير جيد فى العامين الماضيين من تاريخ التقدم للوظيفة
لايعتد بأى تسجيل للنقطة البحثية قبل التقدم للإعلان
سوف يتم تحديد نقطة البحث بمعرفة الوحدة حتى ولو سبق للمتقدم تحديد النقطة
يفضل الحصول على التويفل بدرجة 550 ويقدم مايفيد ذلك.. فى حالة التساوى يفضل من له تقدير أعلى فى التويفل.
المؤهل: أن يكون حاصل على البكالوريوس من جامعة خاضعة لقانون تنظيم الجامعات المصرية رقم 49/72 والمجلس الأعلى للجامعات
أن يكون حاصل على درجة الماجستير من جامعة خاضعة لقانون تنظيم الجامعات المصرية رقم 49/72 والمجلس الأعلى للجامعات
مساعد باحث (معيد) للعمل بالمعامل المركزية
تخصص هندسة مواد
تخصص هندسة كيميائية
المؤهل: أن يكون حاصل على درجة بكالوريوس الهندسة (هندسة الحاسبات أو هندسة اتصالات) من جامعة خاضعة لقانون تنظيم الجامعات المصرية رقم 49/72والمجلس الأعلى للجامعات من دفعات 2013 وما بعدها
مساعد باحث (معيد) الأقسام البحثية..
حاصل على تقدير عام جيد جدا على الأقل دفعات 2011 وما بعدها لأقسام (الحاسبات والنظم – الدوائر الشريطية – الخلايا الضوئية– الموجات الميكروئية – الكترونيات الطاقة العالية- بحوث المعلوماتية).
دفعات 2010 وما بعدها لقسم الإلكترونيات الدقيقة
يفضل الحصول على التويفل 550
المؤهل: حاصل على بكالوريوس هندسة بتقدير جيد جدا على الأقل من إحدى كليات الهندسة الخاضعة لقانون تنظيم الجامعات رقم 49/72، من أقسام الإلكترونيات والاتصالات أو هندسة الحاسبات أو الهندسة الكهربية أو قوى وآلات كهربية بتقدير عام جيد جدا على الأقل.
المستندات المطلوبة:
طلب شغل الوظيفة (النموذج بشئون العاملين بالمعهد)-شهادة الميلاد أو مستخرج رسمى منها (شهادة الكمبيوتر)-صورة الرقم القومى- شهادة المعاملة العسكرية (الموقف من التجنيد) بالنسبة للذكور
شهادة التخرج- شهادة عضوية نقابة المهندسين-شهادة التقديرات المعتمده- موافقة مبدئية صريحة من جهة العمل على التقدم للإعلان بالنسبة للعاملين بجهات اخرى- التقدم لمجال أو تخصص واحد فقط.
تستوفى الأوراق من إدارة شئون العاملين غرفة رقم (306) هذا ولن يلتفت إلى الطلبات التى ترد بالبريد أو التى تقدم قبل أو بعد الميعاد أو غير المستوفاة للشروط.
للتقدم للوظيفة:
تقدم الطلبات والمستندات وتسلم باليد برسم الدكتور/ رئيس المعهد بالعنوان التالى معهد بحوث الإلكترونيات، مبنى الطبيعة، المركز القومى للبحوث، شارع البحوث (التحرير سابقا) الدقى/ الجيزة ولن يلتفت إلى الطلبات التى تقدم قبل أو بعد الميعاد أو التى ترد بالبريد أو غير المستوفاة للشروط وينتهى التقديم فى 14 يناير 2015.