كشف بيل هولت نائب رئيس مجلس ادارة شركة انتل والمدير العام لمجموعة " انتل" للتكنولوجيا والتصنيع عن انتاج اول رقيقة sram ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة بواسطة تقنية عمليات 45 نانومتر باكثر من مليار ترانزستور وهي تقنية من الجيل الثاني وسوف تسمح هذه التقنية للشركة بتصنيع رقائق العام القادم 2007 باستخدام حلقات رقاقية بحجم 300 ملليمتر وتستخدم "انتل " هذه الرقاقات لانتاج اشباه الموصلات باعداد كبيرة بواسطة عملية تصنيع 65 نانومتر . وأوضح أن التقنية من نوع 45 نانومتر ستكون قاعدة أساسية لإنتاج كمبيوتر تتسم بأداء أعلي كما أنها ستسمح بإنتاج رقائق يقل معدل تسريبها للكهرباء 5 مرات عن المعدلات السائدة في الرقائق الحالية مما سيؤدي إلي إطالة عمر البطارية في الأجهزة المحمولة وزيادة فرص تصنيع منصات اصغر واقوي .