باحثة مصرية تتوصل لاكتشاف يشكل طفرة بسرعة التكنولوجيا

نجحت الباحثة المصرية في جامعة «أيندهوفن» بهولندا، «إلهام فضالي»، مع فريقها البحثي في الحصول على انبعاث ضوئي فعال من السيليكون، وهو ما سيشكل طفرة للعالم في سرعة نقل البيانات.
واستطاعت فضالي ، طالبة الدكتوراه في جامعة أيندهوفن للتكنولوجيا في هولندا، مع فريقها البحثي في الحصول على انبعاث ضوئي فعال من السيليكون عن طريق إجباره على شكل جديد.
وحسب ما ورد في ورقة البحث العلمي، ظل العلماء يلاحقون أشعة الليزر القائمة على السيليكون لسنوات لتوفير طريقة أسرع وأرخص لنقل البيانات عبر أو بين شرائح الكمبيوتر، والآن حصلوا على انبعاث ضوئي فعال من السيليكون عن طريق دفعه إلى شكل جديد.
وحسب البحث فإنه أصبح من الممكن استبدال الأسلاك النحاسية بحزم من الضوء، مما يسهل إرسال البيانات من ترانزستور على رقاقة إلى أخرى ، أو من رقاقة إلى أخرى ، بسرعات أعلى وبطاقة أقل ، دون الحاجة إلى القلق بشأن الحرارة الزائدة الناتجة عن المقاومة الكهربائية.
كما يمكن تفعيل أنواع أخرى من الليزر، لكن أشباه الواصلات التي تصنعها أغلى من السيليكون، ويجب تصنيعها بشكل منفصل وإرفاقها بالشريحة.
ويمكن إنتاج ليزر السيليكون باستخدام نفس العمليات لبناء الرقائق، لإعادة تشكيل البلورة، كانت الحيلة هي جعلها مصنوعة من سبيكة من السليكون والجرمانيوم (SiGe)، وزرعتها فوق أسلاك نانوية رقيقة مصنوعة من زرنيخيد الغاليوم (GaAs).
وتتكون بلورة GaAs من 5 جوانب بشكل طبيعي، لذلك فإنها تجبر SiGe على اتخاذ نفس الشكل السداسي، على الرغم من أن بلورة السيليكون عادة ما تكون مكعبا.
ويقول «إريك باكرز»، رئيس مجموعة المواد والأجهزة النانوية المتقدمة في جامعة إيندهوفن للتكنولوجيا في هولندا: «نغير التناظر البلوري، ومن خلال القيام بذلك ، نغير الخصائص الإلكترونية الضوئية لأشباه الوصلات».
ونشرت مجلة نيتشر للابحاث «Nature»، بحث الدكتورة الهام و زملائها، وهي أقوى مجلة أبحاث في العلوم.
وحصلت فضالي على بكالوريوس العلوم «BSc» في هندسة الإلكترونيات من الجامعة الأميركية في 2013.
حصلت على ماجستير العلوم «MSc» في علم النانو وتكنولوجيا النانو – الإلكترونيات النانوية من جامعة تشالمرز للتكنولوجيا في هولندا.