تمكن باحثون يابانيون في قسم هندسة الإلكترونيات والاتصالات الكهربائية بجامعة "تشو" في العاصمة طوكيو من تطوير معايير جديدة للقرص التخزيني الهجين ذي الحالة الساكنة "هايبرد إس إس دي" يمزج بين ذاكرة الوصول العشوائي والمعروفة باسم "رى رام" والذاكرة الفلاشية "ناند". وقال الدكتور تاكوشا كين رئيس الفريق البحثي في تصريح على شبكة الإنترنت إن فريقه تمكن من إنتاج نموذج أولي من قرص "سوليد ستيت" مكون من ذاكرة فلاشية بسعة 256 جيجابايت وذاكرة "رى رام" بسعة 8 جيجابايت , يتميز بقدرته على قراءة وكتابة وإعادة كتابة البيانات بسرعة كبيرة جدا, بمعدل 11 مرة مقارنة بالقرص الصلب "إس إس دي" التقليدي الذي يستخدم الذاكرة الفلاشية "ناند" فقط , فضلا عن استهلاكه المنخفض للطاقة الذي يصل إلى حوالي 93 % إضافة إلى تحسين أداء "إس إس دي" وإطالة عمره بمعدل 7 مرات مقارنة بنظيره المستخدم للذاكرة الفلاشية فقط. وأضاف أن إعادة كتابة البيانات بالذاكرة الفلاشية تصل سرعتها إلى 30 ألف جيجا بايت مقارنة بسرعة نظيرتها بالذاكرة "رى رام" التي تبلغ 100 ألف جيجا بايت.